其他信息

点击下面链接进入规格书查看页面

规格书 Specification - LGS51065

1 文件 3 MB

下载

棱晶半导体 LGS51065 65V 耐压 / 0.8A 降压转换器（恒压 / 恒流）+3.3V LDO 双输出芯片

一、核心产品特性

（一）双输出设计，一芯多用

1. 降压通道（BUCK）：额定输入 12V~65V（瞬态 80V 浪涌），最大输出电流 800mA，支持恒压 / 恒流自适应工作，通过 FB 引脚外接阻抗自动识别模式，恒压模式输出电压可外部调节，恒流模式适配 LED 恒流驱动，固定 1MHz 开关频率；
2. LDO 通道：独立 3.3V 输出，最大负载电流 12mA（短路保护电流 15mA），输出精度高，可为 MCU、传感器等提供稳定低压供电，LDO 与降压通道联动保护，故障时互锁关断。

（二）恒压 / 恒流自适应，适配多场景

1. 恒压模式（CV）：FB 引脚外接阻抗≥5kΩ 时触发，内部基准电压 1V，输出电压通过分压电阻调节，适配高压降压、常规供电场景；
2. 恒流模式（CC）：FB 引脚外接阻抗≤2kΩ 时触发，内部基准电压 0.2V，输出电流通过采样电阻设定，适配 LED 恒流驱动、恒流供电场景；

• 两种模式均支持PWM 调光（通过 EN 引脚实现），恒流模式下可实现 0%~100% 调光，满足 LED 驱动的亮度调节需求。

（三）高压高耐压，抗干扰能力强

1. 超高输入耐压：降压通道额定输入 12V~65V，瞬态可耐受 80V 浪涌电压，内置输入欠压锁定（UVLO：13V 上升 / 10.5V 下降），无需额外浪涌 / 过压保护器件，适配高压供电环境；
2. 强 ESD 防护：全端口具备 ±2000V HBM、±1500V CDM ESD 防护，抗静电与电压冲击能力强，满足工业 / 户外场景的可靠性要求；
3. 低静态功耗：使能关闭时静态电流仅 65μA，降压通道使能后静态电流 125μA（24V 输入 / 5V 输出），降低设备待机功耗。

（四）高效低耗，性能优异

1. 降压通道高效率：异步降压拓扑设计，1MHz 固定开关频率，适配小体积电感电容，不同输入电压 / 负载下效率最高达 95%，轻载支持脉冲跳跃模式，兼顾效率与纹波；
2. LDO 低噪稳定：3.3V LDO 为独立线性稳压器，输出纹波低，短路保护电流 15mA，内置过温保护，可为敏感器件提供干净的低压电源；
3. 最大占空比 85%：降压通道最大占空比限制 85%，避免占空比过高导致的输出不稳定，输入电压波动时保证输出电压 / 电流的稳定性。

（五）完善保护机制，高可靠性

1. 全局保护：结温 150℃时触发过温保护（OTP），降至 130℃自动恢复，所有保护均为自恢复模式；
2. 降压通道保护：输入欠压锁定、峰值电流限制（930mA）、短路保护、软启动（抑制上电冲击）；
3. LDO 通道保护：过流保护（15mA）、过温保护、输出短路保护，LDO 故障时触发 Power Good 信号，联动关断降压通道；
4. 联动保护：LDO 欠压（UVLO）、过温时，降压通道自动关断；降压通道故障时，LDO 保持正常输出（独立供电）。

二、关键电气参数（典型值，℃）

三、引脚功能（ESOP8 封装，带底部 EPAD 散热焊盘）

四、核心设计要点

（一）恒压模式（CV）参数配置

1. 输出电压计算：内部基准电压VFB.CV​=1V，由分压电阻RF​（上分压）、RG​（下分压）决定，公式：

   VOUT​=RG​RF​+RG​​×1V

   设计要求：RG​≥20kΩ，推荐使用 1% 精度金属膜电阻，原厂典型配置（RG​=20kΩ）：

   | 输出电压 | 2.5V | 3.3V | 5.0V | 9.0V |

   |----------|------|------|------|------|

   | RF​ | 30kΩ | 47kΩ | 82kΩ | 160kΩ |

2. 前馈电容（C_FF）：若RF​>100kΩ，需在RF​两端并联前馈电容优化瞬态响应，公式：

   CFF​=120×RF​VOUT​×VOUT​​×COUT​​

   （CFF​<15pF时无需添加）

（二）恒流模式（CC）参数配置

1. 输出电流计算：内部基准电压VFB.CC​=0.2V，由采样电阻RSence​决定，公式：

   IOUT​=RSence​0.2V​

   设计要求：RSence​选用高精度、低温度系数采样电阻，原厂典型配置：

   | 输出电流 | 100mA | 200mA | 294mA | 425mA |

   |----------|-------|-------|-------|-------|

   | RSence​ | 2Ω | 1Ω | 0.68Ω | 0.47Ω |

（三）关键外围元器件选型（原厂推荐）

（四）PWM 调光设计

五、工作原理

1. 供电启动：VIN 接入 12V~65V 高压，EN 引脚为高电平时，芯片内部电源启动，降压通道进入软启动，LDO 通道同时启动并输出 3.3V；
2. 模式识别：芯片检测 FB 引脚外接阻抗，≥5kΩ 进入恒压模式，≤2kΩ 进入恒流模式，分别调用对应内部基准电压进行调节；
3. 降压转换：1MHz 固定频率的异步降压拓扑，通过 PWM 调节占空比，恒压模式稳定输出电压，恒流模式稳定输出电流，轻载时进入脉冲跳跃模式提升效率；
4. LDO 供电：LDO 通道从 VIN 取电，独立输出 3.3V，为低压器件供电，内置过流 / 过温保护，输出异常时触发 Power Good 信号；
5. 联动保护：降压通道检测到过流、短路、过温、欠压时，立即关断输出，LDO 通道保持正常工作；LDO 通道故障时，联动关断降压通道，防止故障扩散；
6. PWM 调光：EN 引脚输入 PWM 信号时，降压通道随 PWM 占空比通断，实现恒流模式下的 LED 亮度调节，低电平关断、高电平正常工作。

六、PCB 布局核心规则

1. 功率器件就近贴装：C_IN、C_BST、C_OUT 需紧贴对应引脚与 GND，最小化走线长度，吸收高频纹波；续流二极管 D1、功率电感 L1 靠近 SW 引脚放置，减小开关回路面积；
2. 高频节点短走线：SW、BST 为高频高 dv/dt 节点，走线需短且粗（≥20mil），避免绕线，减小寄生电感与 EMI 干扰；
3. FB 引脚抗干扰：FB 引脚为敏感引脚，恒压模式的分压电阻、恒流模式的采样电阻需就近贴装 FB 与 GND，走线短且细，远离 SW、BST、电感等噪声源；
4. 散热焊盘充分接地：底部 EPAD 散热焊盘需大面积覆铜，并打阵列过孔连接至 GND 地平面，多层板需在各层覆铜接地，提升散热效率；
5. LDO 滤波独立布线：3V3 引脚的 C_3V3 就近贴装，LDO 相关走线远离高压 / 高频节点，避免噪声耦合，保证低压输出干净；
6. 热插拔防护：若应用场景存在热插拔，需在 VIN 引脚处添加额外电解电容，与 C_IN 并联，抑制上电浪涌；
7. GND 可靠接地：GND 引脚与 EPAD 散热焊盘连通，所有外围器件的接地端均直接接至主地，采用大面积覆铜，减小地弹干扰。

七、封装规格（ESOP8，带底部散热焊盘）

• 本体尺寸：5.8~6.2（长）×3.8~4.0（宽），标称 6.0×3.9；
• 封装高度：1.7mm（MAX），引脚间距 1.27mm BSC，引脚宽度 0.31~0.51mm；
• 散热焊盘：标称 2.6×2.0mm，需大面积覆铜并打多过孔接地，降低热阻；
• 引脚标识：Pin1 为 EN 引脚，带定位标识，卷装适配 SMT 贴片工艺。

八、典型应用场景

1. LED 驱动：恒流模式下为 LED 提供恒流供电，支持 PWM 调光，适配应急疏散灯、户外 LED 灯、装饰 LED 等；
2. 高压降压供电：恒压模式下实现 12V~65V 高压降压，为设备提供 5V/3.3V 等低压供电，适配工业高压设备、传感器网络；
3. 双输出电源：单芯片实现高压降压 + 3.3V LDO 输出，为带 MCU / 传感器的高压设备提供一站式电源解决方案，简化 BOM；
4. 应急电源：适配应急疏散灯、应急电源模块，高压输入耐受能力强，恒流模式驱动 LED，LDO 为控制电路供电。