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其他信息
| 重量 | 0.045 克 |
|---|---|
| 商品封装 | SOT23-6 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品毛重(克) | 0.045 |
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 |
| 功能类型 | 降压型 |
| 工作电压(V) | 4.5~18 |
| 输出电压(V) | – |
| 开关频率(KHz) | 500 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 同步整流 | 是 |
| 输出通道数 | 1 |
| 拓扑结构 | 降压式 |
| 静态电流(Iq) | 400uA |
| 开关管(内置/外置) | 内置 |
| 输出类型 | 可调 |
| 输出电流(A) | 2 |
| 最小包装(pcs) | 3000 |
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棱晶半导体 LGS5116B 18V/2A 高效同步降压转换器
棱晶半导体 LGS5116B 是一款宽压输入的高集成同步降压 DC/DC 转换器，支持 4.5V~18V 输入、0.6V~12V 可调输出，最大 2A 连续输出电流，采用 500KHz 固定开关频率，集成高低侧 MOS 管与环路补偿，兼具 96% 超高转换效率、快速负载瞬态响应与完善的保护机制，采用超小 SOT23-6 封装，大幅简化外围设计，适配 12V 分布式电源总线、工业监控、消费电子等多场景的降压供电需求，工作结温覆盖 - 40℃~+125℃，全端口具备高 ESD 防护，可靠性与设计灵活性俱佳。
核心特性
宽压大电流，输出灵活可调
输入电压覆盖4.5V~18V，输出电压可在0.6V~12V范围内通过外接电阻精准调节，内部反馈基准电压 0.6V（精度 ±2%），最大2A 连续输出电流，满足工业、消费电子等多场景的降压供电需求；内置高低侧功率 MOS 管，导通电阻分别为 160mΩ/95mΩ，导通损耗低，能量转换效率优异。
高集成小封装，外围设计极简
采用SOT23-6 超小封装，集成高低侧 MOS 管、内部环路补偿、自举驱动、软启动电路，无需额外补偿元器件，仅需搭配电感、电容及分压电阻即可实现完整应用；内置自举电路，仅需在 BST 与 SW 引脚间接 0.1μF 电容，大幅减少外部器件数量，节省 PCB 空间，适配高密度小尺寸设计。
高频高效，高低载性能优异
采用500KHz 固定开关频率，有效减小外围电感、电容尺寸，同时降低电磁干扰；系统转换效率最高达96%，全负载范围内保持高效率，且内置SKIP 省电模式，轻负载时自动暂停开关操作，降低开关损耗，兼顾高低载效率表现，静态工作电流仅 400μA，关断电流≤15μA，待机功耗极低。
快速瞬态响应，电压纹波低
采用峰值电流控制模式，具备极快的负载瞬态响应能力，能快速应对负载电流跳变，有效抑制输出电压过冲 / 欠冲；输出电压纹波低，配合低 ESR 陶瓷电容，可实现高精度低噪声供电，适用于对电压稳定性要求高的精密电路。
完善保护机制，高可靠宽温工作
集成内部软启动、输入欠压 / 过压保护、逐周期限流保护、输出短路保护、热关断保护等多重功能，全方位保障器件与系统安全：
- 内置软启动：启动时间 0.5ms，电压匀速上升，防止输出电压超调与上电电流过冲，支持大输出电容启动；
- 欠压锁定（UVLO）：输入上升阈值 4.2V、下降阈值 3.85V，带 0.35V 迟滞，防止低压误启动；
- 输入过压保护（OVP）：输入电压超过额定值时禁止开关操作，电压回落后续自动软启动恢复；
- 逐周期限流：高侧 MOS 管峰值限流 3A，有效保护功率管与外围器件，支持输出短路保护；
- 热关断保护：结温 150℃触发关断，110℃恢复，带 40℃大迟滞，避免过热损坏；
- ESD 防护：全端口具备 ±2000V HBM、±1000V CDM ESD 保护，适应复杂电磁环境。
灵活使能控制，适配系统时序
配备EN 高有效使能引脚，高电平（≥1.5V）使能、低电平（≤0.4V）关断，且 EN 引脚耐压达 18V，可直接上拉至 VIN 电压，无需额外电平转换，支持系统电源时序控制；漏电电流≤1μA，对系统功耗影响极小。
关键电气参数
- 开关特性：固定 500KHz 开关频率，最大占空比 95%，适配低压差降压场景；
- 基准精度：FB 反馈电压 0.6V（0.588V~0.612V），输出电压调节精准；
- 功耗表现：静态电流 400μA（无开关），关断电流≤15μA，EN 引脚漏电电流≤1μA；
- 保护参数：欠压锁定迟滞 0.35V，热关断迟滞 40V，高侧 MOS 管限流 3A；
- 工作温度：结温 - 40℃~+125℃，存储温度 - 65℃~+150℃，满足工业级宽温要求。
典型应用
- 工业领域：12V 分布式电源总线、视频监控 / 安全系统、工业控制用电器；
- 消费电子：数字电视 / 液晶显示器、数字机顶盒、路由器 / 调制解调器、便携式终端；
- 其他：需要宽压输入、高效率、小尺寸降压转换器的电子设备。
封装与工艺
- 封装：SOT23-6（1.45mm 高度，超小体积），顶部标识 5116B，适配自动化贴片生产；
- 工艺：符合无铅贴片工艺要求，引脚耐压高，无需额外电平转换，布局难度低；
- 卷装规格：适配行业标准卷装，满足批量生产需求。
应用设计关键要点
- 输出电压设定：通过 FB 引脚外接电阻分压实现，公式为R2=VOUT−VFBVFB×R1，推荐使用 ±1% 高精度、100ppm 以下温度系数的电阻；
- 元器件选型
- 自举电容：BST-SW 间接 0.1μF、耐压≥16V 的陶瓷电容，就近贴装；
- 输入电容：推荐≥10μF 的 X5R/X7R 陶瓷电容，就近贴装在 VIN/GND 引脚，可并联 100nF 电容滤除高频噪声；
- 输出电容：选用低 ESR 的 X5R/X7R 陶瓷电容，容值根据纹波与瞬态需求选择，典型 22μF；
- 功率电感：推荐 4.7μH 铁氧体电感，饱和电流≥2.2A，直流电阻尽可能小，避免饱和；
- PCB 布局建议
- 输入电容就近贴装 VIN/GND 引脚，减小高频噪声；
- 功率回路采用宽覆铜，减小传导损耗，增加过孔提升散热与连接性；
- FB 引脚走线短且远离 SW 高噪声节点，防止噪声干扰；
- 增大 PCB 覆铜面积，保证器件结温≤125℃，提升可靠性；
- 热插拔防护：若需带电插拔，可在输入侧串联 1Ω 小电阻或并联电解电容，抑制陶瓷电容低 ESR 带来的电压过冲。
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