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其他信息
| 重量 | 0.02 克 |
|---|---|
| 商品封装 | SOT23-6 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品毛重(克) | 0.02 |
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 |
| 功能类型 | 降压型 |
| 工作电压(V) | 8~48 |
| 输出电压(V) | 5~40 |
| 开关频率(KHz) | 900 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 同步整流 | 是 |
| 输出通道数 | 1 |
| 拓扑结构 | 降压式 |
| 静态电流(Iq) | 200uA |
| 开关管(内置/外置) | 内置 |
| 输出类型 | 可调 |
| 输出电流(A) | 0.6 |
| 最小包装(pcs) | 3000 |
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棱晶半导体 LGS5148 48V/600mA 高压同步降压转换器
棱晶半导体 LGS5148 是一款专为高压宽范围输入设计的高集成同步降压 DC/DC 转换器，支持8V~48V 超宽输入、5V~40V 可调输出，最大 600mA 连续输出电流，峰值转换效率高达 97%。器件采用 3mm×3mm SOT23-6 超小封装，集成功率 MOSFET、内部环路补偿、软启动与完善保护机制，内置 SKIP 轻载省电模式，静态功耗极低，工作结温覆盖 - 40℃~+125℃，适配工业前置稳压、电池备用电源、热电器件供电等高压小电流降压场景，兼具设计简化、高可靠性与宽温适应性。
核心特性
高压宽范围，输出精准可调
输入电压覆盖8V~48V，适配工业高压电源轨、多节电池组等高压输入场景，无需额外浪涌抑制组件；输出电压可在5V~40V通过 FB 引脚外接电阻分压精准调节，内部反馈基准电压 800mV（精度 ±3.125%），满足不同低压供电需求；最大600mA 连续输出电流，高侧 MOSFET 峰值限流 1.2A（典型值），兼顾带载能力与过流保护。
高集成小封装，外围设计极简
采用SOT23-6 超小封装，集成高低侧功率 MOSFET、内部环路补偿、自举驱动、软启动电路，无需额外补偿元器件，仅需搭配电感、电容及分压电阻即可实现完整应用；自举电路仅需在 BST 与 SW 引脚间接 0.1μF 电容，大幅减少外部器件，节省 PCB 空间，适配高密度小尺寸设计。
高效低耗，高低载性能兼顾
峰值转换效率高达97%，全负载范围内保持高效率；内置SKIP 轻载省电模式，轻负载时自动暂停开关操作，降低开关损耗，实现极高的轻载效率；静态工作电流仅 200μA（典型值），关机电流≤1μA，待机功耗极低，适配电池供电设备的低功耗需求。
完善保护机制，高可靠宽温工作
集成内部软启动、逐周期过流保护、输出短路保护、热关断保护、频率折返保护等多重功能，全方位保障器件与系统安全，且工作结温覆盖 **-40℃~+125℃**，适应工业恶劣温环境：
- 软启动：启动时间 0.6ms，电压匀速上升，防止输出电压超调与上电电流过冲，支持大输出电容启动；
- 逐周期限流：高侧 MOSFET 峰值限流 1~1.4A，有效保护功率管，输出短路时进入打嗝模式，避免器件过热；
- 热关断保护：结温 150℃触发关断，125℃恢复，带 25℃迟滞，防止过热损坏；
- 频率折返保护：占空比过大时开关频率降至 1/4，降低电感电流过冲，实现启动与短路双重保护；
- 欠压 / 过流保护：内置输入欠压锁定，EN 引脚高低电平实现使能控制，过流时触发逐周期限流，长时间过流触发热关断。
快速瞬态响应，电压稳定性高
采用峰值电流检测模式架构，配合内部补偿，实现出色的负载与输入瞬态响应，有效抑制电压波动；输出电压调整率优异，在宽输入、全负载范围内保持电压稳定，纹波低，满足精密电路的供电要求。
关键电气参数
- 开关特性：固定 900kHz 开关频率，100ns 高侧 MOS 最小导通时间，93% 最大占空比；
- MOS 管参数：高侧导通电阻 450mΩ、低侧 470mΩ（典型值），集成式设计减少外围损耗；
- 功耗表现：静态电流 200μA（无开关），关机电流≤1μA，EN 引脚漏电电流仅 100nA；
- 使能特性：EN 上升阈值 1.5V、下降阈值 1.0V（典型值），可直接通过 1M 电阻上拉至 VIN（需注意 EN 耐压 6V）；
- 热特性：结到环境热阻 173℃/W，结到 PCB 热阻 33.2℃/W，支持宽温 - 40℃~+125℃工作；
- ESD 防护：内置专利 ESD 保护电路，抗静电能力优异，适应工业复杂电磁环境。
典型应用
- 系统前置稳压：跟踪和远程信息处理设备、网络摄像头、工业控制器的高压降压供电；
- 电池备用电源：智能电表、数据集中器、物联网终端的多节电池组降压稳压；
- 热电器件电源：半导体制冷器（TEC）、光纤模块、工业传感器的低压供电；
- 通用高压降压：8V~48V 高压电源轨转 5V~40V 低压的小电流供电场景。
封装与工艺
- 封装：3mm×3mm SOT23-6，1.45mm 高度，超小体积适配高密度 PCB 设计，顶部标识 5148；
- 工艺：符合无铅贴片工艺要求，引脚间距 0.95mm，适配自动化贴片生产；
- 布局建议：输入电容就近贴装 VIN/GND 引脚，功率回路采用宽覆铜减少损耗，FB 引脚走线短且远离 SW 高噪声节点，增大 PCB 覆铜面积提升散热。
应用设计关键要点
1. 输出电压设定
通过 FB 引脚外接电阻分压计算，公式为：
VOUT=RFBBRFBT+RFBB×0.8V
原厂提供常用电压配置参考（RFBB 推荐 10.7kΩ）：
| 输出电压 | RFBT | RFBB |
|---|---|---|
| 3.3V | 33kΩ | 10.7kΩ |
| 5V | 56kΩ | 10.7kΩ |
| 12V | 150kΩ | 10.7kΩ |
| 建议：使用 ±1% 高精度、温度系数≤100ppm 的电阻，阻值为 K 级，兼顾效率与抗干扰性。 |
2. 关键元器件选型
- 自举电容（CBST）：BST 与 SW 引脚间接0.1μF / 耐压≥16V陶瓷电容，就近贴装；
- 输入电容（CVIN）：推荐 4.7μF / 耐压≥100V 的 X5R/X7R 陶瓷电容，并联 100nF 高频电容，就近贴装 VIN/GND 引脚，24V 以上输入建议增加电解电容做热插拔防护；
- 输出电容（COUT）：推荐 10μF / 耐压≥输出电压 2 倍的 X7R 陶瓷电容，低 ESR 特性可减小输出纹波与瞬态电压波动；
- 功率电感（L）：推荐 22μH 电感，饱和电流≥I_OUT_MAX+ΔI_L/2（ΔI_L 为纹波电流，取最大负载的 20%-40%），DCR 尽可能小以降低损耗。
3. 使能引脚设计
EN 引脚高电平（≥1.5V）使能、低电平（≤1.0V）关断，耐压仅 6V，不可直接接高压 VIN，建议通过 1M 电阻上拉至 VIN 实现上电自使能，或外接逻辑电平控制。
4. 热插拔防护
陶瓷电容低 ESR 易与杂散电感形成欠阻尼振荡，带电插拔时 VIN 引脚易出现电压过冲，解决方案：
- 方案 1：输入侧并联铝电解电容，利用其高 ESR 阻尼振荡；
- 方案 2：输入侧串联 1.5Ω 电阻 + 0.1μF 电容，既抑制过冲又滤除高频噪声，体积更小。
5. PCB 布局关键
- 功率回路（VIN/MOSFET/SW/ 电感 / 输出电容）做最小化环路设计，减小寄生电感与 EMI；
- 输入电容必须就近贴装 VIN 与 GND 引脚，缩短高频电流路径；
- FB 引脚及分压电阻远离 SW、BST 等高噪声节点，走线短且细，防止噪声耦合；
- 增大 GND 覆铜面积，增加过孔实现多层接地，提升散热与抗干扰能力；
- 电感与芯片间保留一定距离，设计热岛避免电感损耗的热量传导至芯片。
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