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LGS5205

23V/5A 同步降压稳压器

SKU: LGS5205 分类: 标签: , Brand:

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其他信息

重量 0.4 克
商品封装

ETSSOP16

包装方式

编带

商品毛重(克)

0.74

商品目录

DC-DC电源芯片

功能类型

降压型

工作电压(V)

3~23

输出电压(V)

0.6~5.5

开关频率(KHz)

600~2000

工作温度

-40℃~+125℃@(TJ)

同步整流

输出通道数

1

拓扑结构

降压式

静态电流(Iq)

600uA

开关管(内置/外置)

内置

输出类型

可调

输出电流(A)

5

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棱晶半导体 LGS5205 23V 耐压 / 5A 同步降压转换器

LGS5205 是棱晶半导体推出的大电流高集成同步降压 DC/DC 转换器,采用 ETSSOP16 封装(带底部 EPAD 散热焊盘),支持 3V~23V 宽输入电压,集成 57mΩ 高侧 + 35mΩ 低侧功率 MOS 管,最大持续输出 5A 电流,输出电压可调范围 0.6V~5.5V(基准电压 0.6V±1%)。芯片核心采用可锁相恒定导通时间电流控制架构,开关频率 600kHz~2MHz 外部可调,支持连续 / 断续模式手动选择,兼具 96% 高转换效率、超快瞬态响应、完善保护及多功能扩展特性,适配锂电池供电、便携式仪器、分布式发电、12V/23V 轨道负载等大电流低压供电场景。

一、核心产品特性

(一)宽压大电流,多供电场景适配

  1. 输入输出范围额定输入 3V~23V,适配双 / 三 / 四节锂电池、5V/12V/23V 电源轨道,输入欠压锁定 2.6V(上升)/2.3V(下降),过压保护 23V(关断)/21V(恢复);输出电压 0.6V~5.5V 可调,基准电压 0.6V±1%,最大持续输出 5A 电流,谷值电流限制 ±5A,满足大电流低压供电需求;
  2. 低内阻高效率:集成超低内阻功率 MOS 管(高侧 57mΩ/ 低侧 35mΩ),转换效率最高达 96%,轻载 / 重载均保持高效率,空载静态电流仅 600μA,关断电流低至 11μA,兼顾大电流输出与低功耗待机。

(二)专属架构设计,瞬态响应优异

  1. 恒定导通时间电流控制:采用可锁相的恒定导通时间电流控制架构,区别于传统 PWM 控制,在高降压比、高频工作下仍能实现超快线性 / 负载瞬态响应,适配负载电流快速跳变的应用场景;
  2. 高频可调小型化:开关频率可通过外部电阻在600kHz~2MHz精准调节,高频工作允许使用小体积功率电感 / 电容(如 1μH/2.2μH 电感),大幅减小 PCB 布局面积,实现电源模块小型化。

(三)模式灵活选择,适配不同负载需求

通过MODE 引脚可手动选择工作模式,无需芯片自适应,适配不同负载特性的设计需求,模式切换逻辑简单:
  1. 连续模式(FCCM):MODE 引脚接 VCC,强制全负载范围内工作在连续导通模式,输出电压纹波小,适合对纹波要求高的精密供电场景;
  2. 断续模式(PFM):MODE 引脚接 GND,轻负载时自动进入断续导通模式,减少开关损耗,提升轻载转换效率,适合电池供电的低功耗场景。

(四)高度集成,多功能扩展

  1. 片上外设丰富:内置 3.3V/100mA LDO(为内部电路供电)、软启动控制、电源正常指示(PG)、误差放大器补偿端(COMP),无需外部额外器件,简化外围设计;
  2. 精准控制特性:最小导通时间 70ns、最小关断时间 160ns,保证高频下的电压调节精度;输出过压 / 欠压检测阈值为设定值的 110%/91%,实时监控输出电压状态;
  3. 使能分级控制:EN 使能引脚支持分级阈值控制,0.5V 开启内部基准、1.1V 开启全芯片,可外接分压电阻实现自定义输入欠压锁定,适配复杂电源时序管理。

(五)完善保护机制,高可靠性

芯片内置全链路自恢复保护,覆盖过压、欠压、过流、短路、过温等所有异常工况,故障时及时关断 / 限流,防止器件损坏:
  1. 过流 / 短路保护:逐周期谷值电流限制,短路时触发电流折返(Current FOLD-BACK)模式,主动降低输出电流,减小芯片功耗与发热,避免过热损坏;
  2. 过温保护:结温升至 160℃时强制关闭输出,降至 145℃自动恢复,自恢复模式无需外部复位;
  3. 其他保护:输入欠压 / 过压保护、VCC 欠压锁定(2.8V 上升 / 2.6V 下降)、输出过压 / 欠压检测,全端口 ±2000V HBM ESD 防护,抗静电与电压冲击能力强。

二、关键电气参数(典型值,℃,PVIN=12V)

功能类别 参数项 规格值 备注
输入特性 额定输入电压 3V~23V -
输入欠压锁定 2.6V(上升)/2.3V(下降) -
输入过压保护 23V(关断)/21V(恢复) -
空载静态电流 600μA RFREQ​=130kΩ
关断电流 11μA EN=0,PVIN=12V
输出特性 基准电压 0.6V±1% FB 引脚
输出电压范围 0.6V~5.5V 外部分压调节
最大输出电流 5A(持续) -
谷值电流限制 ±5A 逐周期限制
功率管特性 高侧 MOS 导通电阻 57mΩ VCC=3.3V
低侧 MOS 导通电阻 35mΩ VCC=3.3V
频率特性 开关频率范围 600kHz~2MHz FREQ 引脚外接电阻
最小导通 / 关断时间 70ns/160ns 保证高频调节精度
保护特性 过温保护 160℃(关断)/145℃(恢复) 结温,自恢复
输出过压 / 欠压阈值 110%/91% 设定值 FB 引脚电压判定
热特性 结到空气热阻θJA​ 38.9℃/W ETSSOP16,0 风
结到 PCB 热阻θJB​ 19.9℃/W 底部 EPAD 覆铜

三、引脚功能(ETSSOP16 封装,含底部 EPAD 散热焊盘)

芯片共 16 个功能引脚,采用功率输入(PVIN)/ 信号输入(SVIN)分离设计,底部 EPAD 为散热焊盘(接 GND),核心功能如下(关键引脚):
引脚编号 引脚名称 核心功能与使用说明
1/2 PVIN 功率电源输入,需贴装≥2.2μF 陶瓷电容到 GND,就近贴装
3 SVIN 信号电源输入,与 PVIN 间串 1~10Ω 电阻,贴 0.1μF 电容到 GND,抗噪声干扰
4 BST 自举驱动引脚,与 SW 间接 100nF 陶瓷电容 + 10Ω 电阻,为高侧 MOS 驱动供电
5 VCC 内部 3.3V LDO 输出,需贴装 1~4.7μF 陶瓷电容到 GND,就近贴装,不建议外接负载
6 GND 芯片地,功率 / 信号回路公共地,与 EPAD 连通
7 FREQ 开关频率设置引脚,与 GND 间接电阻,配置 600kHz~2MHz 频率
8 MODE 模式选择,接 VCC 为连续模式,接 GND 为断续模式,禁止悬空
9 FB 输出电压反馈引脚,基准电压 0.6V,外接分压电阻调节输出电压
10 SS 软启动引脚,与 GND 间接电容调节启动时间,抑制上电电流浪涌
11 COMP 误差放大器补偿端,可外接 RC 优化环路稳定性,内部自带 65kΩ+60pF 补偿
12 EN 使能引脚,0.5V 开启基准、1.1V 开启全芯片,可外接分压电阻自定义 UVLO
13 PG 电源正常开漏指示,输出在 91%~110% 设定值时为高,异常时拉低,需外部上拉
14 VOUT 输出电压检测端,接输出正极,保证不同输出电压下开关频率恒定
15/16 SW 开关节点,外接功率电感与 BST 电容,高频高 dv/dt 节点,走线需短且粗
EPAD GND 底部散热焊盘,大面积覆铜并打阵列过孔接地,提升散热效率

四、核心设计要点

(一)输出电压精准配置

输出电压由 **FB 引脚的分压电阻 R1(下分压)、R2(上分压)** 决定,内部基准电压VFB​=0.6V,计算公式:

VOUT​=0.6V×(1+R1R2​)

设计要求:推荐使用 1% 精度、低温度系数金属膜电阻,R2 固定 100kΩ 时,典型配置如下:

输出电压 1.2V 2.5V 3.3V 5.0V
R1 100kΩ 31.6kΩ 22.1kΩ 13.7kΩ

(二)开关频率配置

开关频率由 **FREQ 引脚与 GND 间的电阻RT​** 配置,计算公式:

fS​(Hz)=RT​(Ω)1.6×1011​

设计要求:推荐使用 1% 精度电阻,典型频率与电阻匹配如下:

开关频率 600kHz 1MHz 2MHz
RT​ 249kΩ 162kΩ 62kΩ

(三)软启动时间配置

SS 引脚内置 2μA 恒流源,与外接电容CSS​配合调节软启动时间,抑制上电时的输入电流浪涌,电容越大启动时间越长,无固定计算公式,可根据实际需求选择(推荐 nF~μF 级)。

(四)关键外围元器件选型(原厂推荐)

芯片集成度高,外围器件以被动元件为主,核心选型需匹配大电流、高频特性,优先选用 X7R/X5R 陶瓷电容(低 ESR、高纹波电流):
器件符号 器件名称 推荐规格 关键要求
C_PVIN 功率输入电容 ≥47μF/50V X7R/X5R 就近贴装 PVIN 与 GND,多颗并联更佳
C_SVIN 信号输入电容 0.1μF/16V X7R/X5R 与 SVIN-PVIN 间的 1~10Ω 电阻组成低通滤波
C_BST 自举电容 100nF/25V X7R/X5R+10Ω 电阻 紧贴 BST 与 SW 引脚
C_VCC VCC 滤波电容 2.2μF/10V X7R/X5R 就近贴装 VCC 与 GND
C_OUT 输出滤波电容 ≥100μF/25V X7R/X5R 多颗并联,降低 ESR,减小输出纹波
L1 功率电感 1μH/2.2μH/4.7μH(饱和电流≥6A) 高频适配小电感,需满足大电流饱和要求
R_FB1/R_FB2 分压电阻 1% 精度金属膜电阻 靠近 FB 引脚放置,走线短

五、工作原理

  1. 供电启动:PVIN 接入 3V~23V 电源,EN 引脚电压升至 0.5V 时开启内部基准,升至 1.1V 时全芯片启动,SS 引脚通过恒流源充电实现软启动,缓慢提升输出电压,抑制上电电流浪涌;
  2. 降压转换:采用同步降压拓扑,高侧 / 低侧 MOS 管交替导通,通过恒定导通时间电流控制调节占空比,保持 FB 引脚电压稳定在 0.6V,从而实现输出电压恒定;
  3. 模式选择:MODE 引脚接 VCC 时,全负载工作在连续导通模式,电感电流连续,纹波小;接 GND 时,轻负载进入断续导通模式,减少开关次数,提升轻载效率;
  4. 环路补偿:COMP 引脚为误差放大器补偿端,内部自带 65kΩ+60pF 补偿,可外接 RC 优化环路相位裕度,适配不同输出电容 / 负载的稳定性需求;
  5. 保护触发:检测到输入过压 / 欠压时,立即关断输出,电压恢复后自动重启;检测到过流 / 短路时,触发谷值电流限制 + 电流折返模式,降低输出电流;检测到过温时,强制关闭输出,温度恢复后自动重启。

六、PCB 布局核心规则

LGS5205 为 5A 大电流、高频功率器件,且采用功率 / 信号输入分离设计,布局直接影响效率、纹波、EMI 与散热,核心原则为短路径、大覆铜、分输入、隔噪声、强散热
  1. 功率回路最短化:PVIN、SW、VOUT、GND 组成的功率回路,采用超宽走线(≥50mil)、最短路径,减小寄生电感 / 电阻,降低导通损耗与 EMI 干扰,多颗输入 / 输出电容就近并联在功率引脚上;
  2. 功率 / 信号输入分离:PVIN 为功率电流输入,SVIN 为信号电流输入,SVIN 需通过1~10Ω 电阻 + 0.1μF 电容组成的低通滤波接 PVIN,避免功率噪声干扰内部逻辑电路;
  3. 高频节点隔离:SW、BST 为高频高 dv/dt 节点,走线需短且粗、面积小,远离 FB、COMP、FREQ 等敏感引脚,SW 引脚焊盘尽量小,避免寄生电容过大;
  4. 敏感引脚抗干扰:FB、COMP、FREQ、SS 等敏感引脚的外围器件(电阻 / 电容)需紧贴引脚放置,走线短且细,远离 SW、电感、功率走线,FB 分压电阻的采样点需接在输出电容靠近 VOUT 的一侧;
  5. 散热焊盘充分接地:底部 EPAD 散热焊盘需大面积覆铜,并打 ** 阵列过孔(10mil)** 连接至 GND 地平面,多层板需在各层覆铜接地,最大化散热效率,降低大电流下的结温;
  6. 电源 / 信号地共地:功率地与信号地最终在输出电容 GND 端单点共地,避免功率电流的地弹干扰敏感信号,所有接地器件的地端均直接接至主地平面;
  7. PG 引脚上拉:PG 为开漏输出引脚,需通过10k~100kΩ 电阻上拉至 VCC/VOUT,上拉电阻靠近 PG 引脚放置,避免噪声耦合。

七、封装规格(ETSSOP16,带底部 EPAD 散热焊盘)

采用工业级增强散热 ETSSOP16 塑封封装,适配自动化贴片生产,核心物理规格(单位:mm):
  • 本体尺寸:6.2~6.6(长)×4.3~4.5(宽),高度 1.2MAX;
  • 引脚间距:0.65mm BSC,引脚宽度 0.19~0.30mm,适合高密度贴片;
  • 散热焊盘:标称 2.80×2.10mm,与 GND 连通,超低结到 PCB 热阻(19.9℃/W);
  • 卷装规格:4000pcs / 卷,Pin1 位于 Q1 象限,适配 SMT 自动化生产。

八、典型应用场景

  1. 锂电池供电设备:双 / 三 / 四节锂电池(3.7V×2/3/4)转 3.3V/5V,为便携式仪器、手持设备提供 5A 大电流供电;
  2. 工业轨道电源:12V/23V 工业电源轨道转 1.2V/2.5V/3.3V,为工控板、电机驱动、分布式发电系统供电;
  3. 消费电子大电流供电:大功率充电宝、电动工具、便携储能设备的内部降压,适配 5A 大电流低压输出需求;
  4. 精密仪器供电:对纹波、瞬态响应要求高的测试设备、医疗仪器,连续模式下实现低纹波、超快负载响应。

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