LGS6302EP
60V/1.2MHz 开关峰值电流 2A 的高效率异步升压/升降压转换器
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其他信息
| 重量 | 0.23 克 |
|---|---|
| 商品封装 | ESOP8 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品毛重(克) | 0.23 |
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 |
| 功能类型 | 升压型；升降压型 |
| 工作电压(V) | 3~60 |
| 输出电压(V) | 3~60 |
| 开关频率(KHz) | 1200 |
| 工作温度 | -40℃~+105℃@(TJ) |
| 同步整流 | 否 |
| 输出通道数 | 1 |
| 拓扑结构 | 升降压式 |
| 静态电流(Iq) | 180uA |
| 开关管(内置/外置) | 内置 |
| 输出类型 | 可调 |
| 峰值输出电流(A) | 1.5 |
| 最小包装(pcs) | 4000 |
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棱晶半导体 LGS6302 60V/2A 高效率异步升压 / 升降压转换器
棱晶半导体 LGS6302 是一款宽压输入的高效率异步升压 / 升降压 DC-DC 转换器，支持 3.0V~60V 超宽输入输出电压范围，集成 350mΩ 高侧 MOS 管，峰值开关电流达 2A，采用 1.2MHz 固定高频开关，兼具 SKIP 轻载高效模式与完善的保护机制，提供 SOT23-5 超小封装和 ESOP8 增强散热封装两种选择，适配电池供电设备、工业分布式电源等多场景的升压 / 升降压供电需求，工作结温覆盖 - 40℃~+125℃，全端口具备 ±2000V HBM ESD 防护，设计灵活性与可靠性俱佳。
核心特性
超宽压，升压 / 升降压双拓扑
输入输出电压均覆盖3.0V~60V，支持Boost/Buck-Boost两种工作拓扑，可适配不同输入输出电压匹配的供电场景；集成 350mΩ 高侧功率 MOS 管，峰值开关电流达 2A，升压效率最高可达 90%，能满足中功率升压供电需求。
高频开关小尺寸，外围设计简化
采用1.2MHz 固定开关频率（典型值，范围 1.05~1.35MHz），可大幅减小外围电感、电容等无源器件的尺寸，节省 PCB 空间；内置内部环路补偿，无需额外补偿元器件，降低设计复杂度与解决方案成本，仅需搭配电感、二极管、电容及分压电阻即可实现完整应用。
高低载双效节能，效率表现优异
内置SKIP 跳脉冲轻载模式，轻负载时仅在必要时开关，大幅降低开关损耗，保持高轻载效率；无负载静态工作电流仅 180μA（典型值），关断电流低至 10μA，待机功耗极低，适配电池供电设备的低功耗需求。
双重封装选择，适配不同设计需求
提供两种封装形式，兼顾小型化与散热性：
- SOT23-5 封装：超小体积，适配高密度、小尺寸 PCB 设计；
- ESOP8 封装：带外露散热焊盘，增强散热效率，满足大电流、高功耗工作场景。
完善保护机制，高可靠宽温工作
集成输入欠压保护（UVLO）、逐周期峰值限流保护、热关断保护（OTP）、内置软启动等功能，全方位保障器件与系统安全：
- 软启动：上电时开关频率降至 1/4，电流匀速上升，防止输入电流过冲，支持大输出电容启动；
- 欠压锁定：VIN 上升阈值 3.0V、下降阈值 2.6V，防止低压误启动；
- 逐周期限流：峰值电流限制 1.5~2.1A，有效保护功率管与外围器件；
- 热关断：结温 150℃触发关断，120℃恢复，带 25℃迟滞，避免过热损坏；
- ESD 防护：全端口具备 ±2000V HBM、±500V CDM ESD 保护，适应复杂电磁环境。
便捷电压调节，使能控制灵活
输出电压通过FB 引脚外接电阻分压精准设定，内部反馈基准电压 1.2V（精度 ±0.4%），计算公式为VOUT=1.2×RGRF+RG，原厂提供 6V/12V/24V/36V/48V 等常用电压的电阻配置参考；
配备EN 使能引脚（不可悬空），高电平（≥0.5V）启动、低电平（≤0.4V）关断，关断后进入低功耗模式，支持系统电源时序控制，可外接逻辑信号实现开关控制。
关键电气参数
- 开关特性：典型 1.2MHz 开关频率，最大占空比 90%，350mΩ 内置高侧 MOS 管；
- 功耗表现：静态电流 180μA（无负载），关断电流 10μA（EN=0V）；
- 电流能力：峰值开关电流 2A（典型 1.7A），逐周期限流保护；
- 基准精度：FB 引脚反馈电压 1.2V，最小 1.195V / 最大 1.205V，精度优异；
- 工作温度：结温 - 40℃~+125℃，存储温度 - 65℃~+150℃；
- 热阻特性：SOT23-5 封装结到环境热阻典型 210℃/W，结到 PCB 热阻 38.4℃/W。
典型应用
- 电池供电设备：便携式终端、手持仪器、储能设备的升压供电；
- 工业电源：工业分布式电源、工控设备的升压 / 升降压供电；
- 宽压供电场景：输入电压波动大，需要 3V~60V 宽范围升压的电子设备；
- 其他：需要高效率、小尺寸升压转换器的消费电子、工业控制设备。
封装与工艺
封装规格
| 型号 | 封装 | 顶部标识 | 卷装数量 | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| LGS6302B5 | SOT23-5 | 6302 | 3000pcs | 小尺寸、低功耗场景 |
| LGS6302EP | ESOP8 | 6302 | 4000pcs | 大电流、高散热需求场景 |
工艺与布局建议
- 工艺：符合贴片工艺要求，ESOP8 封装散热焊盘建议接 PCB 地平面并打导热过孔，提升散热效率；
- 布局关键：输入电容就近贴装在 VIN/GND 引脚，减小 SW 节点敷铜面积降低 EMI，FB 引脚走线短且远离 SW 高噪声节点，大电流路径采用宽覆铜减少损耗。
应用设计关键要点
- 续流二极管：推荐选用肖特基二极管（反向电压＞VOUTMAX，额定电流≥2A），如 PMEG6020ER，避免使用超快恢复二极管，防止 SW 节点电压振铃；
- 电感选择：推荐 2.2μH~10μH 铁氧体电感，饱和电流≥2A，直流电阻＜200mΩ，避免电感饱和导致电流失控；
- 电容选择：输入 / 输出均推荐 X5R/X7R 低 ESR 陶瓷电容，输入电容≥4.7μF，输出电容≥10μF，根据纹波与瞬态需求调整容值，避免使用 Y5V/Z5U 介质电容；
- 热设计：高功耗场景优先选用 ESOP8 封装，增加 PCB 覆铜面积、打导热过孔，避免结温超过 125℃额定值，影响器件可靠性；
- 热插拔防护：若需带电插拔，可在输入侧串联小电阻或并联电解电容，抑制陶瓷电容低 ESR 带来的电压过冲。
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