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LGS7381

输入高耐压 500mA 线性锂电池充电管理芯片 带使能

SKU: LGS7381 分类: 标签: , Brand:
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商品封装:SOT23-5
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其他信息

重量 0.067 克
商品封装

SOT23-5

包装方式

编带

商品毛重(克)

0.067

商品目录

充电管理芯片

功能类型

线性充电

工作电压(V)

4.5~6

最大充电电流(A)

0.5

充电饱和电压(V)

4.2

工作温度

-40℃~+105℃@(TJ)

电池节数

1

电池温度检测

支持

静态电流(Iq)

40uA

最小包装(pcs)

3000

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棱晶半导体 LGS7381 24V 耐压 / 0.5A 单节线性锂电池充电管理芯片

LGS7381 是棱晶半导体推出的高耐压低功耗单节线性锂电池充电管理芯片,采用 SOT23-5 超小封装,支持最大 24V 输入耐压(瞬态 28V 浪涌),兼容 5V USB/AC 适配器供电,最大充电电流 500mA 且支持外部电阻精准配置,默认 4.2V±1% 浮充电压(可定制 4.25V/4.3V/4.35V)。芯片集成四阶段智能充电、电池防倒灌、热调节充电、完善保护及使能控制功能,电池端漏电低至 1μA 以下,适配移动多媒体、便携式设备等单节锂电池供电场景,外围器件极少,设计简单且可靠性高。

一、核心产品特性

(一)高耐压宽适配,兼容多供电源

  1. 超高输入耐压:最大输入耐压 24V,可承受 28V 浪涌电压,同时兼容4.5V~6V 常规供电(5V USB/AC 适配器为典型值),内置输入过压保护(6.25V)、欠压锁定(4.0V 上升 / 3.9V 下降),无需额外浪涌 / 过压保护器件,适配复杂供电环境;
  2. 多电池类型兼容:默认支持 4.2V 单节锂电池,可定制 4.25V/4.3V/4.35V 浮充电压,满足不同规格锂电池的充电需求,浮充电压精度 ±1%,充电更精准安全。

(二)四阶段智能充电,充电高效又安全

芯片根据电池电压自动执行四阶段充电流程,针对深度放电、低电压、常规电压电池做差异化充电,有效保护电池并提升充电效率,各阶段充电电流按 ** 预设恒流(ICC)** 比例自动调节:
  1. 短路充电(SC):电池电压<0.6V 时,以 5%~7% ICC 充电,唤醒 0V 深度放电电池;
  2. 涓流充电(TC):0.6V<电池电压<2.9V 时,以 10%~14% ICC 预充电,恢复低电压电池性能;
  3. 恒流充电(CC):2.9V<电池电压<4.2V 时,以 ** 外部预设最大电流(最大 500mA)** 快充,快速补充电量;
  4. 恒压充电(CV):电池电压达到 4.2V 浮充电压时,保持电压恒定,充电电流逐渐下降,降至 1/10ICC 时自动停止充电,避免过充。
  • 充电停止后进入待机,电池电压降至 95.7% 浮充电压(约 4.02V)时,自动重启充电循环,保证电池始终处于满电状态。

(三)灵活配置,低耗节能

  1. 充电电流精准配置:通过PROG 引脚外接 1% 精度电阻即可设定充电电流,公式为IBAT​=(VPROG​/RPROG​)×1000VPROG​恒为 1V),典型配置:2kΩ 对应 500mA、10kΩ 对应 100mA,调节范围灵活;
  2. 极致低功耗:使能关闭时静态电流仅 40μA,电池端漏电≤1μA(VCC 断电时),VCC 供电时 BAT 端漏电流仅 300~500nA,大幅降低设备待机功耗,提升电池续航;
  3. 使能可控:CE 引脚高电平使能充电、低电平关闭,可由 MCU 直接控制,充电过程中可随时关断,适配设备的电源管理时序。

(四)智能热调节,高可靠性

  1. 充电电流热调节:内置过温环路,充电过程中若芯片结温升高,自动降低充电电流,防止结温过高损坏芯片,结温达 150℃时触发过温保护,温度恢复后自动恢复充电;
  2. 电池防倒灌:内置 PMOS 管(导通电阻 800mΩ),实现电池与输入侧的隔离,VCC 断电时无电池向输入侧倒灌电流,漏电流低至 1μA 以下;
  3. 完善保护机制:除输入过压 / 欠压、芯片过温保护外,还集成恒流软启动热插拔保护,有效防止上电尖峰、充电冲击对芯片和电池的损坏。

二、关键电气参数(典型值,℃,VCC=5V)

功能类别 参数项 规格值 备注
输入特性 额定工作电压 4.5V~6V 典型 5V USB 供电
最大输入耐压 24V(瞬态 28V 浪涌) -
输入过压保护阈值 6.25V 自动关断充电
输入欠压锁定 4.0V(上升)/3.9V(下降) 低于阈值停止充电
充电特性 最大充电电流 500mA RPROG=2kΩ 时
浮充电压(默认) 4.2V±1% 可定制 4.25/4.3/4.35V
充电截止电流 1/10× 预设恒流(ICC) 恒压阶段降至该值停止充电
再充电阈值 95.7%× 浮充电压 约 4.02V,自动重启充电
功耗特性 使能静态电流(CE=1) 150μA BAT 悬空
关断静态电流(CE=0) 40μA BAT 悬空
电池端漏电流(VCC=0) ≤1μA 防倒灌,核心参数
电池端漏电流(VCC=5V) 300~500nA -
保护特性 芯片过温保护阈值 150℃ 结温,自恢复
PMOS 导通电阻 800mΩ 内置防倒灌管
逻辑特性 CE 使能高电平门限 1.37V 高电平使能
CE 使能低电平门限 1.16V 低电平关断

三、引脚功能(SOT23-5 封装,超小体积适配微型设备)

芯片共 5 个引脚,功能简洁,外围仅需 2 个电容 + 1 个电阻即可实现完整充电功能,引脚布局优化适配 PCB 微型化设计:
引脚编号 引脚名称 核心功能与使用说明
1 CE 使能输入引脚,高电平(≥1.37V)使能充电,低电平(≤1.16V)关闭充电,可接 VCC 或 MCU_IO 口
2 GND 芯片地,所有电容、电阻的接地参考端,需可靠接地
3 BAT 电池充电输出引脚,接锂电池正极,需贴装10μF/16V 陶瓷电容到 GND,就近贴装
4 VCC 电源输入引脚,接 5V USB/AC 适配器或其他供电源,需贴装10μF/16V 陶瓷电容到 GND,就近贴装,热插拔工况可串 1Ω 电阻滤除尖峰
5 PROG 充电电流设置 / 监测引脚,外接1% 精度电阻到 GND设定充电电流;可通过测量该引脚电压估算充电电流(SC=0.05V、TC=0.1V、CC=1V)

四、核心设计要点

(一)充电电流精准配置

充电电流由PROG 引脚的外接电阻 RPROG决定,核心公式为:

IBAT​(mA)=RPROG​(kΩ)VPROG​(V)​

其中V_PROG 恒为 1V,推荐使用1% 精度金属膜电阻,典型配置如下:

充电电流 500mA 100mA 200mA 250mA
RPROG 2kΩ 10kΩ 5kΩ 4kΩ

(二)外围元器件选型(原厂推荐,极简 BOM)

芯片集成度极高,外围仅需 2 个滤波电容 + 1 个电流设置电阻,均为常规贴片器件,适配自动化生产,选型要求如下:
器件符号 器件名称 推荐规格 关键要求
C_VCC VCC 输入滤波电容 10μF/16V/0603,X7R/X5R 就近贴装 VCC 与 GND,滤除输入纹波
C_BAT BAT 输出滤波电容 10μF/16V/0603,X7R/X5R 就近贴装 BAT 与 GND,稳定电池电压
R_PROG 充电电流设置电阻 1% 精度金属膜电阻 按所需电流计算阻值,无额外功率要求

(三)热插拔防护设计

若应用场景存在USB/Type-C 高压热插拔,VCC 引脚易出现上电尖峰,可在C_VCC 与 VCC 引脚之间串联 1Ω 贴片电阻,有效过滤上电尖峰,提升热插拔可靠性,电阻无额外功率要求,常规 0603 封装即可。

(四)充电控制与待机

  1. 充电关断:充电过程中,将 CE 引脚拉低(≤1.16V)或移除 R_PROG,芯片立即进入停机模式,充电停止,静态电流降至 40μA,电池漏电流≤1μA;
  2. 重启充电:将 CE 引脚拉高(≥1.37V)或重新接好 R_PROG,芯片自动启动全新的四阶段充电循环,无需其他复位操作。

五、工作原理

  1. 供电启动:VCC 接入有效电源(≥4.0V),CE 引脚为高电平时,芯片内部电源启动,完成初始化后开始检测 BAT 引脚的电池电压;
  2. 四阶段充电:根据电池电压自动进入短路 / 涓流 / 恒流 / 恒压充电阶段,各阶段 PROG 引脚输出固定电压,充电电流按比例自动调节,恒压阶段电流持续下降;
  3. 充电停止:当恒压阶段的充电电流降至 1/10ICC 时,芯片自动停止充电,进入低功耗待机模式,持续监测 BAT 引脚电压;
  4. 自动复充:待机时若电池电压降至 95.7% 浮充电压,芯片自动重启充电循环,直至电池再次充满;
  5. 保护触发:检测到输入过压 / 欠压、芯片过温时,立即停止充电,故障解除后(电压恢复 / 温度降低),自动恢复充电;热插拔尖峰通过串 1Ω 电阻滤除,充电电流随芯片结温自动调节,防止过热。

六、PCB 布局核心规则

LGS7381 为线性充电芯片,布局直接影响充电稳定性、纹波及散热,核心原则为就近贴装、短走线、强接地,适配微型 PCB 设计:
  1. 电容就近贴装:C_VCC、C_BAT 必须紧贴对应引脚(VCC/BAT)与 GND,最小化走线长度,有效滤除纹波,稳定输入 / 输出电压;
  2. R_PROG 短走线:PROG 引脚阻抗较高,R_PROG 需就近贴装 PROG 与 GND,走线尽量短且远离热源,减少噪声干扰,保证充电电流精度;
  3. GND 可靠接地:GND 引脚需大面积覆铜,所有外围器件的接地端均直接接至芯片 GND,避免地弹干扰,提升充电稳定性;
  4. 热插拔防护:若需做热插拔防护,1Ω 电阻需串联在 VCC 引脚与 C_VCC 之间,且靠近 VCC 引脚放置;
  5. 高频辅助滤波:若对纹波要求更高,可在 VCC、BAT 引脚各并联一颗0.1μF 陶瓷电容,就近贴装,进一步滤除高频噪声。

七、封装规格(SOT23-5,超小体积)

采用工业级标准 SOT23-5 塑封 SOIC 封装,超小体积适配便携式、微型设备的 PCB 布局,核心物理规格(单位:mm):
  • 本体尺寸:约 3.00×1.70,高度 1.45MAX;
  • 引脚间距:0.95BSC,引脚宽度 0.35~0.55;
  • 卷装规格:3000pcs / 卷,Pin1 位于 Q3 象限,适配自动化贴片生产;
  • 热特性:结到空气热阻℃,配合热调节充电功能,无需额外散热设计。

八、典型应用场景

  1. 移动多媒体设备:MP3/MP4、便携式音乐播放器、小型录音笔等单节锂电池供电设备;
  2. 小型便携式设备:蓝牙防丢器、微型传感器、迷你无线键鼠、便携式打火机等微型低功耗设备;
  3. 消费电子配件:小型充电宝、蓝牙耳机充电仓(副电)、小型美容仪等单节锂电供电的便携配件;
  4. 其他场景:各类需要 5V USB 供电、高耐压防护的单节锂电池充电方案,外围器件少,开发成本低,PCB 体积小。

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